[20a-N304-1~8] 【CS.3】 3.10 光量子物理・技術、3.11 フォトニック構造・現象、9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート、11.5 接合、回路作製プロセスおよびデジタル応用、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェアセッション

[20a-N304-1] [3.10, 3.11, 9.2, 11.5, 13.6のコードシェアセッション　分科内招待講演] ナノ構造及び共振器導入によるEu添加窒化物半導体の高輝度化

〇舘林 潤¹、Timmerman Dolf¹、市川 修平¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工)

キーワード：希土類添加半導体、ナノ構造、ナノ光共振器

我々は「半導体イントラセンター・フォトニクス」の開拓を目指し希土類添加半導体に注目している。中でも、Euを添加した窒化物半導体を活性層とした赤色LEDを作製しその室温動作に成功している。近年発光強度は20mA駆動時で1mWを超えており、実用化に向けて遜色のない値になっている。本講演ではナノ構造やナノ共振器構造と組み合わせることにより更なる高輝度化を実現する近年の研究成果について紹介する。