[20a-PA4-1~14] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[20a-PA4-14] セシウム被覆Al_xGa_1-xNエミッタの熱電子放出特性

〇内田 翔太¹、木村 重哉²、吉田 学史²、荻野 明久¹ (1.静大院工、2.(株)東芝)

キーワード：AlxGa1-xN、熱電子放出、セシウム

Al_xGa_1-xNのバンドギャップは、組成比xによりGaNの3.4 eVからAlNの6.2 eVの広い領域をカバーでき、加熱時の化学安定性も高い。また、エミッタ表面をセシウム(Cs)で被覆することで熱電子放出におけるポテンシャル障壁を軽減できるため、光と熱に関係するデバイスに応用できると考えられる。本研究では組成比x の異なるAl_xGa_1-xN表面をCs被覆した時の熱電子放出特性の差異を評価した。