[20a-PA4-1~14] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[20a-PA4-4] (ZnO)_x(InN)_1-x膜スパッタエピタキシー：表面モルフォロジーの時間発展の観察

〇金島 健太郎¹、宮原 奈乃華¹、浦川 聖一¹、山下 大輔¹、鎌滝 晋礼¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹ (1.九州大学)

キーワード：エキシトントランジスタ

可変バンドギャップの擬二次元系混晶である(ZnO)_x(InN)_1-x膜について，結晶成長初期における表面モルフォロジーの詳細な時間発展を観察し，格子不整合基板上におけるエピタキシャル成長のメカニズムを調べた．