[20a-PA5-1~2] 8.3 プラズマナノテクノロジー

[20a-PA5-2] 反応性スパッタリング法および反応性蒸着法による微絨毛構造化InAlN膜の作製

〇中山 佳之¹、星 大輔¹、井上 泰志¹、高井 治² (1.千葉工大、2.関東学院大)

キーワード：斜め堆積法、吸着誘起型エレクトロクロミック

窒化インジウム(InN)薄膜は，表面吸着物の交代に伴い，明褐色から暗褐色への可逆的な色変化（吸着誘起型エレクトロクロミック：AiEC）現象を示す．AiEC現象はMoss-Bursteinシフトに由来するため，InNにAlを添加することにより，バンドギャップの拡大に伴うEC反応波長領域の短波長化，すなわち，実用面で有用な「無色から有色へ」のAiEC現象が期待できる．本研究では，反応性スパッタリング法および反応性蒸着法に斜め堆積(GLAD)法を適用して微絨毛構造化InAlNを作製し，それぞれの成膜方法で得られた試料を比較することにより，InAlN薄膜のAiEC特性において最適な成膜方法を模索することを目的とする．