2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

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[20a-PB1-1~15] 9.4 熱電変換

2019年9月20日(金) 09:30 〜 11:30 PB1 (第二体育館)

09:30 〜 11:30

[20a-PB1-11] 第一原理計算によるCH3NH3SnI3/Bi2Te3界面の安定性と電子状態評価

森本 将行1,2、飯久保 智1,2、宮崎 康次1,2 (1.九工大、2.JST-CREST)

キーワード:第一原理計算、界面

有機無機界面の形成はフォノン散乱の増強が期待できるため、本研究ではBi2Te3とCH3NH3SnI3の界面について第一原理計算からその安定性と電子状態を評価した。また、Bi2Te3の表面終端構造についてTeおよびBi終端をそれぞれ検討した。その結果、Bi終端でCH3NH3SnI3と界面を形成する場合よりも、Te終端で界面を形成する場合がエネルギー的に安定となった。界面の電子状態は、TeおよびBiとSnとの間で電子密度の分布が確認できた。