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[20a-PB2-13] AgとInを用いたダブルペロブスカイト半導体の作製と高圧下の光物性
キーワード:ペロブスカイト半導体、太陽電池、光物性
太陽電池材料として注目される鉛ハライド系ペロブスカイトは、環境への影響が懸念されているため実用化に至っていない。そこで、鉛の代わりに2種類の金属カチオンを用いた、安定なダブルペロブスカイト半導体が注目されている。ダブルペロブスカイト半導体の基礎物性の解明と、加圧することによる構造相転移やバンドギャップの挙動を調べることを目的とし、広い直接バンドギャップを有するCs2AgInCl6の試料作製を行い、光学測定を行った。