[20a-PB3-1~2] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[20a-PB3-2] シリコンナノクリスタル層/シリコン構造による結晶シリコン表面でのキャリア再結合の防止

〇鬼塚 裕也^1,2、今村 健太郎¹、小林 光¹ (1.阪大産研、2.学振特別研究員)

キーワード：シリコンナノクリスタル層、量子サイズ効果、化学的転写法

我々は、結晶シリコン表面に数百nm程度の微細なシリコンナノクリスタル（nc-Si）層を形成する化学的転写法を開発した。ナノサイズにまで微細化されたシリコンでは、量子サイズ効果によってバンドギャップが拡大する。そのため、nc-Si層ではバンドギャップの拡大とバンド構造の変化が観測される。本研究では、このnc-Si層/Si構造でのバンド構造の変化によって生じる、結晶シリコン表面でのキャリア再結合の防止効果を見出した。