[20p-B12-1~11] 13.9 化合物太陽電池

[20p-B12-3] HVPE法を用いたGaAsの超高速成長

〇大島 隆治¹、庄司 靖¹、牧田 紀久夫¹、生方 映徳²、菅谷 武芳¹ (1.産総研、2.大陽日酸)

キーワード：III-V族化合物半導体、太陽電池、ハイドライド気相成長法

我々は、製造コストの低減を目指してHVPE法を用いたIII-V族太陽電池の開発を行っている。今回、スループット性能の向上を目指してGaAsの超高速成長を検討した。V族原料のAsH₃の熱分解が成長速度に大きく影響を与えることを見出し、AsH₃の熱分解を抑制し直接基板に供給を行うことにより120 um/hまでの超高速化を実現した。さらに、120 um/hの高速成長で作製したGaAsセルにおいて20.3%の変換効率が得られた。