[20p-B12-1~11] 13.9 化合物太陽電池

[20p-B12-6] MBE法を用いたInP(001)微傾斜基板上のInGaAs太陽電池の作製

〇(M1)石塚 優希^1,2、大島 隆治²、岡野 好伸¹、菅谷 武芳² (1.東京都市大、2.産総研)

キーワード：III-V族化合物半導体、太陽電池、分子線エピタキシー

我々は，III-V族多接合太陽電池の高効率化に取り組んでいる．固体ソースMBE法を用いたInGaAsサブセルの特性向上を目指して微傾斜基板を検討した．(111)A方向に2°微傾斜させたInP(001)基板を用いることでInGaAs太陽電池の表面ラフネスが最も小さくなった．さらに，すべての太陽電池パラメータが向上し，変換効率は9.7％から12.3％に向上した．