2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.9 化合物太陽電池

[20p-B12-1~11] 13.9 化合物太陽電池

2019年9月20日(金) 13:15 〜 16:15 B12 (B12)

渡辺 健太郎(東大)

15:15 〜 15:30

[20p-B12-8] ELO法及びSAB法によるGaAs/Si 2接合太陽電池の作製

〇(M2)小園 亮1、梁 剣波1、渡辺 健太郎2、杉山 正和2、重川 直輝1 (1.大阪市大院工、2.東大先端研)

キーワード:表面活性化接合、エピタキシャルリフトオフ

我々は高効率・低コスト太陽電池実現を目指し、SAB法を用いてInGaP/GaAs/Si 3接合太陽電池の研究を行っている。多接合太陽電池の低コスト化には GaAs基板の分離及び再利用の実現が必要不可欠である。今回我々は、基板の分離及び再利用を可能にするELO法を用いて、PET film上にGaAs太陽電池エピを形成した試料とSi太陽電池をSAB法により接合し、2接合太陽電池を作製した。