[20p-B31-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-B31-1] [講演奨励賞受賞記念講演] WO₃固体エレクトロクロミックフレキシブルトランジスタの高速動作

〇小野里 尚記¹、Cho Hai Jun^1,2、太田 裕道^1,2 (1.北大院情報科学、2.北大電子研)

キーワード：エレクトロクロミックトランジスタ、フレキシブル

導電率変化とともに光透過率変化を情報として記憶できる新たなメモリ素子としてエレクトロクロミックトランジスタ（ECT）が注目されている。我々は2016年に全固体WO₃-ECTの導電率・光透過率の同時変調を報告し、2019年にはWO₃-ECTの高速動作に成功した。本講演では全作製プロセスを室温下で実現可能な本デバイスの特徴を活かした​WO₃-フレキシブルECTについて報告する。