[20p-B31-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20p-B31-10] Si基板上に成長したGd₂O₃の高品質化における成長初期表面状態の重要性

〇稲葉 智宏¹、徐 学俊¹、俵 毅彦^1,2、尾身 博雄^1,2、山本 秀樹¹、後藤 秀樹¹ (1.NTT物性研、2.NTTナノフォトニクスセンター)

キーワード：希土類酸化物、分子線エピタキシー法、シリコン

既存の成長方法では、Si基板上の希土類酸化物の成長開始直後にアモルファス層が形成され、希土類酸化物の結晶性劣化の原因となっていた。そこで、希土類金属(本報告ではガドリニウム:Gd)を室温でSi基板の保護酸化膜(SiOx)上に堆積し、適切な熱処理を行うことで、成長開始時に単結晶希土類酸化膜で終端されたSi基板を実現し、その上に成長した希土類酸化物の結晶性の向上を確認した。