The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Oral presentation

Joint Session K » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20p-B31-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Fri. Sep 20, 2019 1:45 PM - 6:30 PM B31 (B31)

Takayoshi Oshima(FLOSFIA), Kohei Fujiwara(Tohoku Univ.), Kazuyuki Uno(Wakayama Univ.)

4:30 PM - 4:45 PM

[20p-B31-11] Homoepitaxial Growth of MgO Thin Films and Their Optical Properties

Shoma Hoshi1, Kanta Kudo2, Takeyoshi Onuma2, Tohru Honda2, Kentaro Kaneko1, Shizuo Fujita1 (1.Kyoto Univ., 2.Kogakuin Univ.)

Keywords:DUV light emission, MgZnO, oxide semiconductor

現在深紫外光源として主流のガス光源には、有害物質の使用や筐体の大きさ、低寿命で大きな消費電力を必要とする等の問題がある。これらを解決する無害で小型の固体光源としてMgZnOに注目している。これまでMg基板上にMg組成95%のMgZnO薄膜を作製し、波長199nmでの真空紫外発光を報告してきたが、MgO薄膜自体の発光特性や構造評価は、発光メカニズムの解明に重要である。そこでMgO薄膜のホモエピタキシャル成長とその評価を行ったので報告する。