The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Oral presentation

Joint Session K » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20p-B31-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Fri. Sep 20, 2019 1:45 PM - 6:30 PM B31 (B31)

Takayoshi Oshima(FLOSFIA), Kohei Fujiwara(Tohoku Univ.), Kazuyuki Uno(Wakayama Univ.)

5:30 PM - 5:45 PM

[20p-B31-14] Removal of Si impurities on β-Ga2O3 (010) surface by hot nitric acid

Kaisei Kamei1, Takumi Saito1, Motohisa Kado2, Akira Ohtomo1,3 (1.Tokyo Tech., 2.Toyota Motor Corp., 3.MCES)

Keywords:gallium oxide, etching, nitric acid

β-Ga2O3は大きなバンドギャップを有する半導体材料であるが、その表面にSi不純物が存在することが知られており、デバイス応用に向けた電気特性評価が困難となっている。本研究では、Si不純物を除去する手段として、硝酸とその反応性を高めるための耐圧容器を用いた高温高圧下におけるエッチングを検討した。不純物濃度を解析した結果、硝酸エッチングによるSi不純物除去の有効性が明らかとなった。