The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

Presentation information

Oral presentation

Joint Session K » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20p-B31-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Fri. Sep 20, 2019 1:45 PM - 6:30 PM B31 (B31)

Takayoshi Oshima(FLOSFIA), Kohei Fujiwara(Tohoku Univ.), Kazuyuki Uno(Wakayama Univ.)

5:15 PM - 5:30 PM

[20p-B31-13] Growth of N-doped Ga2O3 films and characterization of their band structures

Takumi Saito1, Motohisa Kado2, Akira Ohtomo1,3 (1.Tokyo Tech., 2.Toyota Motor Corp., 3.MCES)

Keywords:gallium oxide, PLD, Nitrogen-doped

酸化ガリウムは次世代のパワーデバイス材料として注目を集めている.我々は前回,p型化を目的としたNアクセプタードープを試み,NOガスを用いたパルスレーザ堆積法により高濃度かつ高結晶性のNドープ酸化ガリウム薄膜を報告した.本研究では,供給ガスとしてNOガスに加えて,N2とO2の混合ガスについて検討し,成長した薄膜の窒素濃度およびバンドギャップから各成長雰囲気におけるNドープの効果を考察した.