The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Oral presentation

Joint Session K » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20p-B31-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Fri. Sep 20, 2019 1:45 PM - 6:30 PM B31 (B31)

Takayoshi Oshima(FLOSFIA), Kohei Fujiwara(Tohoku Univ.), Kazuyuki Uno(Wakayama Univ.)

3:45 PM - 4:00 PM

[20p-B31-8] Low-temperature synthesis of highly oriented ZnO thin films on ultra-flat polymer substrates using excimer light processes

〇(M2)Tomoaki Oga1, Atsushi Oshima1, Naho Kaneko1, Satoru Kaneko2,1, Akifumi Matsuda1, Mamoru Yoshimoto1 (1.Tokyo Tech. Materials, 2.KISTEC)

Keywords:ZnO, Excimer light, Ultra-flat polymer

ZnOなどのワイドギャップ酸化物半導体を用いたデバイス形成には、結晶配向成長が重要であり、一般に単結晶基板が用いられるが、ポリマー基板上に作製することでフレキシブルデバイスなどへの応用に貢献する。ポリマー表面のモフォロジーや化学特性変化を用いた低温での薄膜結晶成長は、ポリマー上のデバイス形成に必要であり、ポリマー基板上における超平坦表面が酸化物薄膜成長と構造に及ぼす影響について検討した。