[20p-C207-1~16] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

[20p-C207-13] As-grown MgB₂薄膜に対するポストアニールのJ_c向上効果

〇土井 俊哉¹、北村 直也¹、出店 純弥¹、一瀬 中²、岩中 拓夢³、楠 敏明³ (1.京大、2.電中研、3.日立)

キーワード：超伝導体、MgB2薄膜

我々はこれまでに、Cu 、Al 、ジュラルミン、ステンレステープ上にも高いJ_cを有するMgB₂層が作製できること、10 mm厚の厚膜がCuテープ上に容易に作製できること、などを報告してきた。今回、as-grown状態で1 MA/cm²を超える高J_cを有するMgB₂薄膜上にMg蒸発防止用保護膜を形成した後にポストアニールを施すことで更に大きく磁場中J_cを向上させることに成功したので報告する。