[20p-C207-1~16] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

△ [20p-C207-15] NdFeAs(O,H)エピタキシャル薄膜の作製

〇近藤 圭祐¹、本木 聖也¹、畑野 敬史¹、浦田 隆広¹、飯田 和昌^1,2、生田 博志¹ (1.名大工、2.JST CREST)

キーワード：超伝導、鉄系超伝導薄膜、水素ドープ

トポタクティック反応を用いてNdFeAs(O,H)エピタキシャル薄膜を作製することに成功したので報告する。格子定数の変化からNdFeAsOに Hがドープされていることが示唆され、抵抗測定の結果から、オンセットT_cが48 Kで、35 Kでゼロ抵抗に達することが分かった。磁化測定から、超伝導転移はバルク由来であることが分かり、臨界電流密度は自己磁場中、4 Kで1 MA/cm²を超えた。