[20p-C309-1~10] 強誘電体材料の将来デバイスへの応用

[20p-C309-10] BaTiO₃-FTJの抵抗変化メモリ効果とシナプス応用

〇澤 彰仁¹、山田 浩之¹、Stoliar Pablo¹、豊崎 喜精¹ (1.産総研)

キーワード：強誘電体、トンネル接合

BaTiO₃ FTJを中心に強誘電抵抗スイッチング現象とメモリ応用の現状を概説した後、界面構造に着目した抵抗スイッチング現象の動作機構に関する研究を紹介し、最後にFTJのシナプス応用の現状を紹介する。