[20p-C309-1~10] 強誘電体材料の将来デバイスへの応用

[20p-C309-3] 3端子アナログメモリ素子としてのFeFETの適用を目指した人工知能ハードウェアモデルと回路アーキテクチャ

〇森江 隆¹、原田 將敬¹、高橋 光恵²、酒井 滋樹² (1.九工大生命体工、2.産総研)

キーワード：強誘電体ゲートFET、AIプロセッサ、脳型ハードウェア

強誘電体ゲートトランジスタ（FeFET）をアナログメモリ素子として用いることを想定したAIプロセッサや脳型ハードウェアの演算モデルと回路アーキテクチャの最新成果を解説するとともに，アナログメモリFeFETに要求される素子特性と最新の測定結果を報告する．