The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.4 Thin films and New materials

[20p-C310-1~16] 6.4 Thin films and New materials

Fri. Sep 20, 2019 1:45 PM - 6:00 PM C310 (C310)

Tetsuo Tsuchiya(AIST), Takayuki Ishibashi(Nagaoka Univ. of Tech.)

4:15 PM - 4:30 PM

[20p-C310-10] Comparison of highly stable silver thin film deposited in defferent gases

Takeshi Hamano1, Eita Kudo1, Midori Kawamura1, Takayuki Kiba1, Yoshio Abe1, Kyung Ho Kim1, Hiroshi Murotani2 (1.Kitami Inst. of Tech., 2.Tokai Univ.)

Keywords:Silver thin film, Sputter gas, Electrical resistivity

スパッタリング法においてターゲット原子とガス原子の質量数が近い方が良質な膜ができることが知られている。そこで本研究ではArとKrガスを用いて膜厚150 nmのAg膜及びAl表面層1, 3 nmを積層したAl/Ag膜を作製し、特性の比較を行った。ArとKrガスで作製した各膜を比較すると、Krガスの膜の方がより低い電気抵抗率と大きい結晶子径を示した。またガス種を問わずAg膜及びAl 1 nm積層Ag膜の波長500 nmでの反射スペクトルが約97 %を示した。