The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.4 Thin films and New materials

[20p-C310-1~16] 6.4 Thin films and New materials

Fri. Sep 20, 2019 1:45 PM - 6:00 PM C310 (C310)

Tetsuo Tsuchiya(AIST), Takayuki Ishibashi(Nagaoka Univ. of Tech.)

2:00 PM - 2:15 PM

[20p-C310-2] Electronic properties of CrN films grown by pulsed-laser deposition Ⅱ

Ryo Yokoyama1, Akira Ohtomo1,2 (1.Tokyo Tech., 2.MCES)

Keywords:chromium nitride, electrical properties, film

窒化クロム(CrN)は金属と絶縁体の境界に位置する遷移金属化合物であり、高温では常磁性絶縁体,低温では反強磁性金属となることが知られている。しかし、エピタキシャル薄膜において多様な電気伝導性を持つことが報告されている。本研究ではPLDにより得たCrN薄膜をNH3気流下で熱処理を行ったところ、高温側で金属性を保ったまま低温側で絶縁性が生じた。また、電子濃度とホール移動度での系統的な変化を報告する。