[20p-C310-1~16] 6.4 Thin films and New materials

△ [20p-C310-3] Structure and property characterization of impurity-doped layered La-Ni-O thin films
by PLD fabricated and post-annealing

〇Yoshiki Horimatsu¹, Takahiro Ikuta¹, Nobuo Tuchimine², Kousaku Iwatani², Satoru Kaneko³, Akihumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech., 2.TOSHIMA Manu. Co., Ltd., 3.KISTEC)

Keywords:Layered perovskite, La-Ni-O thin film, impurity doping

層状ペロブスカイト型遷移金属酸化物である酸化ニッケルランタンは、混合イオン電子伝導性特性のために、幅広い応用に関心が高まっている。そのなかでLa₄Ni₃O₁₀は酸素欠損導入によりMITを示す報告があり、酸素欠損型La₄Ni₃O_10-δの燃料電池やセンサー応用も研究がなされてきた。本研究では、不純物ドープLa₄Ni₃O_10-δ薄膜の電子機能制御を目的として、PLD合成、ポストアニーリング、Ni価数制御および価数4+の元素によるLa³⁺置換が、La_n+1Ni_nO3_n+1薄膜の構造と特性に与える影響を検討した。