[20p-C310-1~16] 6.4 Thin films and New materials

△ [20p-C310-4] Fabrication of MoO₂ Thin Films by a Mist CVD Method and Their Electrical Characterization

〇(D)Yuya Matamura¹, Takumi Ikenoue¹, Masao Miyake¹, Tetsuji Hirato¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:Mist CVD method, Molybdenum dioxide

ミスト CVD 法を用いて MoO₂ 単相薄膜が得られる条件を明らかにし、得られた膜の電気特性を評価した。440‐480°C の範囲で、ガラス基板上に配向した単相 MoO₂ が得られることを明らかにした。比抵抗は 2 ×10^-3 Ω cm と溶液プロセスで作製したものよりも低い値を示した。