14:30 〜 14:45 △ [20p-C310-4] ミスト CVD 法による MoO2 薄膜の作製と電気特性の評価 〇(D)股村 雄也1、池之上 卓己1、三宅 正男1、平藤 哲司1 (1.京大院エネ科)