[20p-E201-1~12] ナノカーボン・原子層物質の新展開と将来展望

[20p-E201-10] レーザー照射によるTMDC結晶へのp/nドーピング制御とモノリシックTFET応用

大内 秀益¹、神谷 航太¹、坂梨 昴平¹、ゲエヌエ トーマス¹、クリューガー ピーター¹、宮本 克彦¹、尾松 孝茂¹、バード ジョナサン^1,2、〇青木 伸之¹ (1.千葉大物質、2.バッファロー大)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、レーザー照射、トンネル電界効果トランジスタ

我々のグループでは，「モノリシック型のTFET」の実現をめざし，とくにMoTe₂結晶に注目して研究を進めてきた。MoTe₂はTMDCの中でも比較的狭く両極性の特性が得られやすく，Te原子の欠損に起因したｐ型／ｎ型のドーピングの制御や、高強度レーザーの照射によるオーミックコンタクト形成などを明らかにしてきた。これらの要素技術をもとに，ヘテロ接合ではなく単一のMoTe₂結晶内にモノリシックに構成されたTFETの実現をめざした研究を進めている。