[20p-E204-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[20p-E204-2] 分子線エピタキシー法で成長したGaAs系バイセクションレーザの設計と作製

〇石川 裕介¹、荒川 亮太¹、神林 大介¹、成塚 重弥¹、今井 大地¹、宮嶋 孝夫¹ (1.名城大理工)

キーワード：半導体レーザ、ガリウムひ素、バイセクション

生体を観察可能なバイオイメージングを臨床現場で利用するには、小型・低消費電力の超短パルス半導体レーザが必要とされる。その試みは報告されているが、更なる高出力化が必要である。我々はGaN系超短パルスレーザを作製し、そのピークパワーとして600W以上を実現した。ここで得られた技術を利用したバイオイメージング用GaAs系超短パルスレーザ実現のため、GaAs系バイセクションレーザの設計と試作を行った。