2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[20p-E204-1~11] 3.13 半導体光デバイス

2019年9月20日(金) 13:45 〜 17:00 E204 (E204)

沼居 貴陽(立命館大)

14:30 〜 14:45

[20p-E204-4] プロトン注入による3次元的抵抗・吸収制御型高効率VCSELの設計

坂元 駿斗1、宮本 智之1 (1.東工大未来研)

キーワード:面発光レーザ、プロトン注入、光無線給電

光無線給電の給電効率改善には,光源高効率化が必要である.高効率化のため,3次元的構造制御による効率改善の可能性からプロトン注入型VCSELを提案する.プロトン注入のキャリア不活化を3次元的に制御し,電気抵抗・光吸収それぞれの優位領域に合わせてキャリア濃度形成して高効率化を目指している.今回,VCSEL内の3次元的キャリア濃度変化による電気抵抗と光吸収を数値解析し,必要な構造探索を行った.