[20p-E206-1~11] 3.9 Terahertz technologies

[20p-E206-5] Current Characteristics of Resonant Tunneling Diodes using Wigner Function

〇Yuta Inose¹, Koshiro Tsuchida¹, Takashi Arikawa¹, Koichiro Tanaka^1,2 (1.Kyoto Univ., 2.iCeMS, Kyoto Univ.)

Keywords:resonant tunnel diode, Wigner function, terahertz

本研究では、ウィグナー関数モデルを用いて電流の過渡応答を計算することによって、共鳴トンネルダイオード（RTD）のデバイス動作を理論的に理解する取り組みを行った。今回は半導体素子単体を取り扱い、DC電圧印加時に連続テラヘルツ波を入射した場合を想定し、電圧にAC変調を加えた状況で数値計算を行った。周波数を上げていくと、IV曲線から見積もられる電流変化に対してシミュレーション結果がずれていく振る舞いが見られた。これは、素子内部における電子の干渉効果に起因すると考えられる。講演では、周波数特性と電子干渉との関係性について詳細に報告する。