2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.11 フォトニック構造・現象

[20p-E207-1~15] 3.11 フォトニック構造・現象

2019年9月20日(金) 13:45 〜 18:00 E207 (E207)

浅野 卓(京大)、太田 泰友(東大)、角倉 久史(NTT)

17:45 〜 18:00

[20p-E207-15] イオンゲルゲート付グラフェン装荷Siフォトニック結晶導波路における線形及び非線形透過率の評価

千葉 永1,2、小野 真証2,3、小川 友以2、野崎 謙悟2,3、角倉 久史2,3、倉持 栄一2,3、谷保 芳孝2、納富 雅也1,2,3 (1.東工大理、2.NTT物性研、3.NTT NPC)

キーワード:グラフェン、フォトニック結晶、イオンゲルゲート

イオンゲルゲートのあるグラフェン装荷Siフォトニック結晶導波路において、ゲート電圧による透過強度変化が導波路のmode gap端に近づくにつれて増大し、mode gapの波長もゲート電圧によって変化することを報告する。また、ゲート電圧による透過強度変化の大きいmode gap端近傍においてグラフェンの可飽和吸収の測定を行い、そのゲート電圧依存性についても報告する。