[20p-E207-1~15] 3.11 フォトニック構造・現象

[20p-E207-15] イオンゲルゲート付グラフェン装荷Siフォトニック結晶導波路における線形及び非線形透過率の評価

〇千葉 永^1,2、小野 真証^2,3、小川 友以²、野崎 謙悟^2,3、角倉 久史^2,3、倉持 栄一^2,3、谷保 芳孝²、納富 雅也^1,2,3 (1.東工大理、2.NTT物性研、3.NTT NPC)

キーワード：グラフェン、フォトニック結晶、イオンゲルゲート

イオンゲルゲートのあるグラフェン装荷Siフォトニック結晶導波路において、ゲート電圧による透過強度変化が導波路のmode gap端に近づくにつれて増大し、mode gapの波長もゲート電圧によって変化することを報告する。また、ゲート電圧による透過強度変化の大きいmode gap端近傍においてグラフェンの可飽和吸収の測定を行い、そのゲート電圧依存性についても報告する。