2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 光物性・発光デバイス

[20p-E302-1~17] 13.8 光物性・発光デバイス

2019年9月20日(金) 13:45 〜 18:15 E302 (E302)

七井 靖(青学大)、舘林 潤(阪大)

16:15 〜 16:30

[20p-E302-10] pドープInGaAs量子ドットの励起準位における電子スピンダイナミクス

佐藤 紫乃1、中村 裕人1、樋浦 諭志1、高山 純一1、村山 明宏1 (1.北大院情報科学)

キーワード:量子ドット、スピンダイナミクス、pドーピング

半導体量子ドット(QD)は,キャリアのスピン緩和を抑制でき,電子と正孔の発光再結合確率も高いため,光スピンデバイスへの応用が期待されている。QDの励起準位(ES)は状態密度が大きく,状態充填効果によるスピン偏極度の低下が抑制される等の特徴があり,ESにおけるスピンダイナミクスの理解は応用上重要である。本研究では,InGaAs QDのESのスピン特性にpドープが与える影響を,6 Kから室温までの円偏光時間分解Photoluminescence測定によって研究した。