[20p-E302-1~17] 13.8 光物性・発光デバイス

△ [20p-E302-10] pドープInGaAs量子ドットの励起準位における電子スピンダイナミクス

〇佐藤 紫乃¹、中村 裕人¹、樋浦 諭志¹、高山 純一¹、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：量子ドット、スピンダイナミクス、pドーピング

半導体量子ドット(QD)は，キャリアのスピン緩和を抑制でき，電子と正孔の発光再結合確率も高いため，光スピンデバイスへの応用が期待されている。QDの励起準位(ES)は状態密度が大きく，状態充填効果によるスピン偏極度の低下が抑制される等の特徴があり，ESにおけるスピンダイナミクスの理解は応用上重要である。本研究では，InGaAs QDのESのスピン特性にpドープが与える影響を，6 Kから室温までの円偏光時間分解Photoluminescence測定によって研究した。