[20p-E302-1~17] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

△ [20p-E302-13] Formation and optical characteristics of Eu-doped ZnO nanowires by sputtering-assisted MOCVD

〇Masao Mishina¹, Jun Tatebayshi¹, Tokuhito Nakajima¹, Shuhei Ichikawa¹, Yasufumi Fujiwara¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:semiconductor, nanowire, Rare earth

Eu添加半導体はLEDやレーザー等の光デバイスへの応用が期待されている。特に、ZnOは優れた光物性を有し、製造コストが安価であることから新規母体材料として注目されている。我々は、希土類添加時の格子ひずみの緩和による結晶の高品質化および発光強度の増大を図るべく、ZnO:Euを成膜する母体としてZnOナノワイヤ構造に着目した。結果、Euイオン由来の赤色発光強度の増大が確認されたので、これについて報告する。