[20p-E302-1~17] 13.8 光物性・発光デバイス

△ [20p-E302-13] スパッタリング援用MOCVD法によるEu添加ZnOナノワイヤ構造の作製とEu発光特性

〇三品 匡央¹、舘林 潤¹、中島 徳仁¹、市川 修平¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工)

キーワード：半導体、ナノワイヤ、希土類

Eu添加半導体はLEDやレーザー等の光デバイスへの応用が期待されている。特に、ZnOは優れた光物性を有し、製造コストが安価であることから新規母体材料として注目されている。我々は、希土類添加時の格子ひずみの緩和による結晶の高品質化および発光強度の増大を図るべく、ZnO:Euを成膜する母体としてZnOナノワイヤ構造に着目した。結果、Euイオン由来の赤色発光強度の増大が確認されたので、これについて報告する。