[20p-E302-1~17] 13.8 光物性・発光デバイス

△ [20p-E302-17] 高共振器Q値実現に向けたEr,O共添加GaAsマイクロディスクの作製プロセスの検討

〇東 諒磨¹、小川 雅之¹、舘林 潤¹、市川 修平¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工)

キーワード：半導体、希土類、マイクロディスク

GaAs:Er,OはGaAs薄膜中にEr及びO原子を共添加することで得られ、光通信用波長帯1.5 µm付近に温度安定性の極めて高く且つ鋭い輝線スペクトルを示す。これまで、レーザ発振の実現に向けた光共振器構造としてEr,O共添加GaAsマイクロディスク構造を作製し、光学特性を評価した結果、Erからの発光増強（共振器Q値4200）を観測することに成功した。本発表では更なる共振器Q値向上に向けて作製プロセスの改善を検討したのでこれを報告する。