2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[20p-E303-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2019年9月20日(金) 13:45 〜 17:45 E303 (E303)

鵜殿 治彦(茨城大)、寺井 慶和(九工大)、原 康祐(山梨大)

13:45 〜 14:00

[20p-E303-1] スパッタリング法によるC-doped BaSi2の作製と特性評価

根本 泰良1、佐藤 拓磨1、召田 雅実2、倉持 豪人2、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大、2.東ソー株式会社)

キーワード:半導体