13:45 〜 14:00 [20p-E303-1] スパッタリング法によるC-doped BaSi2の作製と特性評価 〇根本 泰良1、佐藤 拓磨1、召田 雅実2、倉持 豪人2、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大、2.東ソー株式会社)