2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[20p-E303-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2019年9月20日(金) 13:45 〜 17:45 E303 (E303)

鵜殿 治彦(茨城大)、寺井 慶和(九工大)、原 康祐(山梨大)

14:15 〜 14:30

[20p-E303-3] 二元同時スパッタ法で作製したAeSi2膜の作製

青山 航大1、清水 荘雄1、倉持 豪人2、召田 雅実2、秋池 良2、井手 啓介1、片瀬 貴義1、神谷 利夫1、木村 好里1、舟窪 浩1 (1.東京工業大学、2.東ソー株式会社アドバンスマテリアル研究所)

キーワード:シリサイド、薄膜