2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[20p-E304-1~13] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

2019年9月20日(金) 13:45 〜 17:15 E304 (E304)

篠崎 健二(産総研)、後藤 民浩(群馬大)、中岡 俊裕(上智大)

14:30 〜 14:45

[20p-E304-4] 反応性スパッタリングで成膜したNb,N添加TiO2膜の局所構造

岡島 敏浩1、賈 軍軍2、重里 有三3 (1.九州シンクロトロン、2.早大国際理工学セ、3.青学大理工)

キーワード:酸化チタン薄膜、局所構造

我々の最近の報告で、反応性スパッタ法によってNbやNドーピングがアナターゼ型のTiO2薄膜が選択的に成長することを明らかにした。XAFS測定や第一原理計算により,このアナターゼ型のTiO2 薄膜にドープしたNbイオンの局所構造や結晶相の安定性を調べた.第一原理計算による結果は,TiO2薄膜中のNbイオンの幾何学的配置は,SnイオンをドープしたTiO2薄膜の場合と異なることを示した.