The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Oral presentation

16 Amorphous and Microcrystalline Materials » 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[20p-E304-1~13] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

Fri. Sep 20, 2019 1:45 PM - 5:15 PM E304 (E304)

Kenji Shinozaki(AIST), Tamihiro Gotoh(Gunma Univ.), Toshihiro Nakaoka(Sophia Univ.)

3:15 PM - 3:30 PM

[20p-E304-6] Electron-beam radial distribution function analysis of amorphous boron carbide

Kousuke Nishikuma1, Manabu Ishimaru1, Ryusuke Nakamura2 (1.Kyushu Inst. Technol., 2.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:boron carbide, Electron-beam radial distribution function

本研究では、透過電子顕微鏡によりアモルファス炭化ホウ素の電子線動径分布解析を行った。電子回折強度の定量解析により散乱ベクトルが約20Åまでの還元干渉関数を得ることができた。還元干渉関数をフーリエ変換することにより得られた動径分布関数にはB-B結合によるピークに加え、1.4~1.6Åの範囲に小さな肩が観察された。この肩は結晶炭化ホウ素の構造モデルから二十面体の原子配置によって解釈できることが示された。