The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Oral presentation

16 Amorphous and Microcrystalline Materials » 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[20p-E304-1~13] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

Fri. Sep 20, 2019 1:45 PM - 5:15 PM E304 (E304)

Kenji Shinozaki(AIST), Tamihiro Gotoh(Gunma Univ.), Toshihiro Nakaoka(Sophia Univ.)

3:30 PM - 3:45 PM

[20p-E304-7] Mechanism of Crystallization of Electron-Beam-Evaporated Amorphous Si Films on Textured Glass Substrates by FLA

Aimi Yago1, Keisuke Ohdaira1 (1.JAIST)

Keywords:flash lamp annealing, silicon, crystallization

平坦基板上に作製したEB蒸着a-Si膜のFLAによる結晶化は爆発的結晶化(EC)によることが確認されている。本研究では、テクスチャ基板上に堆積したEB蒸着a-Si膜のFLAによる結晶化機構について実験的に調査した。周波数可変のサブパルス光からなるFL光を照射したところ、サブパルス光照射に由来する一定の周期の縞模様が観察されたことから、平坦基板同様にテクスチャ基板上においてもECによる結晶化機構であることが確認された。