[20p-E304-1~13] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

△ [20p-E304-8] Phase transition behavior in MnTe sputtering films

〇(D)Shunsuke Mori¹, Daisuke Ando¹, Yuji Sutou¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:phase change material, thin film

相変化材料とは、光記録ディスクや半導体メモリ中で用いられる、情報記録材料のことを指す。将来的な相変化材料の実用には、より低エネルギーで動作する新材料の開発が望まれる。本研究では、多結晶薄膜において結晶間で相変化する材料として、多形体カルコゲナイドであるMnTeに注目し、その相変化挙動について調査した。