[20p-E305-1~7] 2.3 放射線応用・発生装置・新技術

[20p-E305-1] 宇宙X線観測に向けた裏面照射型CMOSセンサの撮像分光性能評価

〇中嶋 大¹、樫村 晶¹、平賀 純子²、由比 大斗²、吉田 将之²、江副 祐一郎³ (1.関東学院大理工、2.関西学院大理工、3.首都大理)

キーワード：X線、CMOS

可視光用に開発されたCMOSセンサについて、宇宙X線観測に用いることを念頭に撮像分光性能を評価した。-30℃に冷却した裏面照射型CMOSセンサに単色X線を照射しスペクトルを得た結果、エネルギー分解能はΔE/E=4.3%@22.1keV であった。これは著者らが開発した CCD+CsIの広帯域センサ(同4.6%@-70℃)に比べても優れた分光性能である。その他暗電流などの各種性能についても報告する。