2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-E310-1~21] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年9月20日(金) 13:15 〜 19:00 E310 (E310)

岡田 成仁(山口大)、本田 善央(名大)、谷川 智之(阪大)

16:15 〜 16:30

[20p-E310-12] 窒化ガリウム量子ドットからの光子の高取り出し効率構造の作製

青木 伴晋1、高 亢2、有田 宗貴2、荒川 泰彦2、ホームズ マーク1 (1.東大生研、2.東大ナノ量子機構)

キーワード:窒化物半導体

半導体量子ドットを用いた単一光子源の実現を考えるうえで、半導体量子ドットから放出された光子は、その多くが半導体の外に出ずに内部で反射されてしまい、取り出すのが困難であるという問題がある。そこで我々は、GaN量子ドットからの光子取り出し効率を高めるために、​Bullseye構造と呼ばれる構造を作製し、評価・検討したのでその結果について報告する。