[20p-E310-1~21] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20p-E310-15] その場反り測定によるAlInN/GaN多層膜反射鏡の高精度組成制御

〇(M2)平岩 恵¹、村永 亘¹、岩山 章¹、清原 一樹¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大理工、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：多層膜反射鏡、AlInN、反り

高品質AlInN/GaN DBR形成の1つの手法として、その場反り測定が報告されている。時間に対する反りプロファイルの傾きからAlInN層の格子定数が把握できる。エピ成長全体を通じて均一な構造が形成されていれば、その傾きは一定になるはずである。本研究では、エピ成長が進行すると、その傾きは一定ではなく負の方向、すなわち、圧縮歪が増大する方向へと変化していくこと、そして、その要因がInNモル分率の増加である可能性を見出した。