[20p-E310-1~21] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-E310-17] Effect of V-pit formation layer on InGaN/GaN MQW

〇Rei Kawamura¹, Yuki Inomata¹, Naoya Iwasaki², Tomoya Fujii², Narihito Okada¹, Satoshi Kurai¹, Yoiti Yamada¹, Kazuyuki Tadatomo¹ (1.Yamaguchi University Graduate School, 2.Yamaguchi University)

Keywords:MT-GaN

超格子構造で発生するVピットの影響を明確にするために、InGaN/GaN超格子、及び超格子構造を使わずにVピットを形成させるために中温成長させたGaN（MT-GaN）を用い、InGaN/GaN超格子が光学的特性に与える要素技術の検討を行ってきた。本報告では、更にVピットを形成させる事のできる超格子、MT-GaNを様々な条件のもとで作製し、MQWに与える影響を調査したので報告する。