[20p-E310-1~21] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-E310-17] Vピット形成層がInGaN/GaN MQWに与える影響

〇河村 澪¹、猪股 祐貴¹、岩崎 直矢²、藤井 智也²、岡田 成仁¹、倉井 聡¹、山田 洋一¹、只友 一行¹ (1.山口大学大学院、2.山口大学)

キーワード：MT-GaN

超格子構造で発生するVピットの影響を明確にするために、InGaN/GaN超格子、及び超格子構造を使わずにVピットを形成させるために中温成長させたGaN（MT-GaN）を用い、InGaN/GaN超格子が光学的特性に与える要素技術の検討を行ってきた。本報告では、更にVピットを形成させる事のできる超格子、MT-GaNを様々な条件のもとで作製し、MQWに与える影響を調査したので報告する。