[20p-E310-1~21] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-E310-19] Epitaxial growth of AlInN films on relaxed GaInN template

〇(M2)Mizuki Yamanaka¹, Makoto Miyoshi¹, Takashi Egawa¹, Narihito Okada², Kazuyuki Tadatomo², Tetsuya Takeuchi³ (1.Nagoya Inst. Tech., 2.Yamaguchi Univ., 3.Meijo Univ.)

Keywords:AlInN

名工大・名城大ではGaN系可視光LDの高効率化に向けて、GaN、InGaNとの大きな比屈折率差が見込めるAlInN厚膜クラッド層の開発に取り組んできた。これまでの研究成果として、GaN/c面サファイア上及びFS-GaN上に厚膜で表面平坦なAlInN膜を成長させたことを報告してきた。他方山口大学では、GaN系LDの下地基板への適用を目指し、格子緩和したGaInNテンプレートを開発している。今回我々は、このテンプレート上に膜厚300nmのAlInN膜をMOCVD成長し、その混晶組成、格子歪みと表面状態との関係を調査したので報告する。