[20p-E310-1~21] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-E310-7] High-speed growth of high quality GaN using OVPE Method at high temperature

〇(B)Ayumu Shimizu¹, Masahiro Kamiyama², Keiju Ishibashi², Shintaro Tsuno², Akira Kitamoto², Masayuki Imanishi², Masashi Yoshimura^2,3, Masahiko Hata⁴, Masashi Isemura⁵, Yusuke Mori² (1.Sch. of Eng., Osaka Univ., 2.Grad. Sch. of Eng.,Osaka Univ., 3.ILE , Osaka Univ., 4.Itochu Plastics Inc., 5.Sosho-Ohshin Inc.)

Keywords:OVPE, Gallium nitride, Crystal Growth

我々が行っているOVPE法では、排気系を詰まらせる固体の副生成物が発生しないため、原理的に長時間での育成が期待できる。しかし現状では、100μm/h以上の高速成長条件において基板上の多結晶が厚膜化を阻害してしまうという問題がある。多結晶発生の原因として酸化物の生成が考えられているが、熱力学解析により成長温度を上げることで酸化物の生成が抑制されることが示唆されている。本研究では、1250℃の高温成長により酸化物由来の多結晶を抑制し100μm/h以上の高速成長条件でGaN基板の厚膜化について試みた。