[20p-E311-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-E311-10] THz-TDSEによるイオン注入した4H-SiCの電気特性評価

〇(M1)佐藤 希一¹、藤井 高志^1,3、荒木 努¹、毛利 真一郎¹、石地 耕太朗²、岩本 敏志³、杉江 隆一⁴ (1.立命館大理工、2.九州シンクロトロン光研究センター、3.㈱日邦プレシジョン、4.東レリサーチセンター)

キーワード：SiC、イオン注入、テラヘルツ時間領域分光エリプソメトリ

我々のグループは実用デバイスで使用される3層構造SiC(n-SiC基板/SiCバッファ層/SiCエピ層)に対して高濃度イオン注入することを計画している。今回はイオン注入によって活性化率100%のp型、n型のイオン注入層が形成されると仮定し、イオン注入層をTHz-TDSEで評価可能かをシミュレーションした。結果、n型、p型ともに振幅比スペクトルが減少し、その減少量を見ることによってTHz-TDSEを用いてイオン注入層の電気特性評価が可能であると考えた。